蘋果20週年iPhone將搭載AI高頻寬記憶體？手機定位再升級

蘋果20週年iPhone將搭載AI高頻寬記憶體？手機定位再升級
[email protected] (商傳媒 SUN MEDIA) 新聞合作, 商傳媒


商傳媒｜記者責任編輯／綜合外電報導

科技媒體《Wccftech》報導，蘋果預計在2027年推出具紀念意義的「20週年iPhone」，不僅在外型設計上追求突破，更計畫導入前所未見的AI高頻寬記憶體（HBM）技術，凸顯紀念iPhone機種將進入全新的性能層級。根據韓媒《ETNews》分析，這次iPhone將首度整合伺服器等級的記憶體技術，結合蘋果AI架構，將有望實現大型語言模型（LLM）於裝置本體運行。

HBM記憶體（High Bandwidth Memory）原為AI伺服器與GPU常用的高效記憶體技術，透過垂直堆疊晶片與穿矽通孔（TSV）技術大幅提升資料傳輸效率與節能表現。蘋果計劃將此應用延伸至行動裝置，將HBM直接整合於2027年iPhone的GPU架構中，使其具備在地執行生成式AI任務的能力，降低對雲端依賴並優化延遲與耗電。

市場分析指出，這將是智慧型手機首次導入高階HBM技術，可能為蘋果在AI手機世代搶下技術話語權，也將成為未來生成式手機競賽的技術門檻。

據悉，蘋果目前已委由三星電子與SK海力士分別研發行動版HBM，並預計於2026年啟動量產，搶搭iPhone20週年上市列車。兩大記憶體巨頭採用不同先進封裝工藝，三星選用VCS（Vertical Cu-post Stack），而SK海力士則投入VFO（Vertical wire Fan-Out）技術，雙方各自為蘋果量身打造高密度、低耗電解決方案。

外界預期，由於HBM成本遠高於目前LPDDR5等主流記憶體，2027年iPhone極可能迎來價格大幅上調，尤其在搭載四曲面螢幕與更高規格AI模組下，進一步推升整體製造成本。

蘋果全速推動的「Apple Intelligence」策略正加速硬體重構，2027年iPhone將成為整合AI與終端算力的典範機種，結合HBM與16nm FinFET OLED驅動IC的新四曲面螢幕設計，預示蘋果未來不再只靠軟體生態優勢稱王，而是將以晶片、記憶體與封裝工藝，重新定義高階手機定位。


 

作者資訊

[email protected] (商傳媒 SUN MEDIA)